名称：氧化二镓
英文名称：Gallium suboxide
分子式：Ga2O
分子量：155.44 g/mol
标签：暂无
编号系统
12024-20-3
暂无
暂无
暂无
暂无
暂无
物性数据
暂无
毒理学数据
暂无
生态学数据
暂无
分子结构数据
暂无
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:1
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积9.2
7.重原子数量:3
8.表面电荷:0
9.复杂度:2.8
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
性质与稳定性
Ga2O在干燥空气中稳定，它的密度为4.77g/cm3，摩尔容积是32.3cm3(0℃)和32.6cm3(25℃)，生成热为-356kJ/mol(固)和-88kJ/mol(气)。
Ga2O是一种强还原剂，它能把稀H2SO4还原至H2S，能猛烈地与溴作用并常伴随有发光现象，用高锰酸盐或在空气中加热则被氧化为Ga2O3。
7H2SO4(稀)+2Ga2O→2Ga2(SO4)3+H2S+6H2O
Ga2O+O2→Ga2O3 ΔH＝-73.2±17kJ/mol
Ga2O与稀硝酸的反应很慢而且不完全，与浓硝酸猛烈地反应以至于常常发生飞溅现象。
贮存方法
暂无
合成方法
在真空下加热至500℃，镓能把Ga2O3还原到Ga2O，这种低价氧化物升华到容器冷却的壁上，成为一种暗棕色的粉末。在高真空中加热至500℃,在有金属镓存在的条件下，采用反复升华的办法可提纯Ga2O。在真空下加热至约700℃以上Ga2O歧化成Ga2O4和Ga。
用途
暂无
安全信息
暂无
暂无
暂无
暂无
文献
None
备注
None